Generation-recombination noise and other features of doped silicon in a wide temperature range
نویسندگان
چکیده
The characteristics of the generation-recombination (g-r) process in silicon are investigated a temperature range from 25 to 360 K. In case shallow donors, it is shown that free electron density strongly depends on temperature: only 20% donors ionized at donor densities about 10 17 cm -3 liquid nitrogen temperature. maximum variance noise due fluctuations for sample with increases and shifts It demonstrated relative number always equal 0.5 low temperatures. normalized spectra depicted very wide frequency range. There also detailed investigation an acceptor-partially compensated two levels. this work, main focus doped by as extremely widely used.
منابع مشابه
features of short story in translated and non-translated literature: a polysystemic perspective
ترجمه متون ادبی در دنیای امروز از اهمیت ویژه ای برخوردار است. فرهنگ های مختلف با استفاده از متون ادبی ملل و فرهنگ های دیگر سعی در غنی کردن فرهنگ و ادبیات کشور خود دارند. کشور ما نیز از این قاعده مستثنی نیست. در ایران، ترجمه متون ادبی اروپائی که با دوران مشروطه ایرانی آغاز می شود موجب تغییرات اساسی در فرهنگ، شیوه زندگی و تفکر ایرانیان شده است. در این دوران نه تنها در امورات سیاسی و فکری کشور تغی...
15 صفحه اولNegative Thermal Expansion over a Wide Temperature Range in Fe-Doped MnNiGe Composites
Fe-doped MnNiGe alloys were successfully synthesized by solid-state reaction. Giant negative thermal expansion (NTE) behaviors with the coefficients of thermal expansion (CTE) of -285.23 × 10-6 K-1 (192-305 K) and -1167.09 × 10-6 K-1 (246-305 K) have been obtained in Mn0.90Fe0.10NiGe and MnNi0.90Fe0.10Ge, respectively. Furthermore, these materials were combined with Cu in order to control the N...
متن کاملSpin dependent recombination in F&doped silicon p-n junctions
Electrically detected magnetic resonance experiments showing spin dependent recombination in commercial p-n diodes are presented. The observed anisotropy in the g values along with the marked shift from the free electron g-value point to a metal-vacancy complex. Deep level transient spectroscopy reveals the presence of the Pt acceptor level (O/ ) at EC 0.23 eV and the donor level ( + 10) at E, ...
متن کاملcoordination of protective schemes in distribution and subtransmission systems including distributed generation
نصب منابع پراکنده در سیستم های توزیع و فوق توزیع علاوه بر مزیت های فراوان، مشکلاتی را هم به همراه دارد. یکی از این مشکلات تأثیر این منابع روی اندازه جریان های اتصال کوتاه است. به طور معمول از حفاظت های مبتنی بر اصل جریان زیاد در سیستم های توزیع و فوق توزیع استفاده می شود. از مهمترین طرح های حفاظتی استفاده شده در فیدرهای توزیع، حفاظت فیوز- ریکلوزر است. همچنین از طرح های حفاظتی جریان زیاد جهتی در...
ذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Lithuanian Journal of Physics
سال: 2022
ISSN: ['1648-8504', '2424-3647']
DOI: https://doi.org/10.3952/physics.v62i3.4798